SN7002N E6327技术资料：MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23
产品变化通告： ProductDiscontinuation28/Mar/2008标准包装：3,000系列：SIPMOS®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：60V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：200mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：5欧姆@500mA，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.8V@26µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：1.5nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：45pF@25V功率-最大值：360mW安装类型：表面贴装封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供应商器件封装：PG-SOT23-3
